水处理光刻胶报价厂家报价

光刻胶的应用

光刻胶的应用

       1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶***外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。

正性光刻胶

正性光刻胶

正性光刻胶也称为正胶。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中，感光剂是光敏化合物，***常见的是重氮萘醌（DNQ）。在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。属固含量（%）：31-35主要溶剂：外观：浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度40秒自旋。

NR77-5000PY

PR1-2000A1 试验操作流程

PR1-2000A1的厚度范围可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm为列；

1,静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度；

2，前烘：热板120度120秒；

3，冷却至室温；

4，用波长为365,406,436的波长曝光，

5，在温度为20-25度，使用RD6浸泡式、喷雾、显影 ；

6，去除光刻胶，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。