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发布时间:2022-02-20 03:25:00 作者:赛米莱德
正负光刻胶
正负光刻胶
光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的,故此叫正胶,利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 正性光刻胶比负性的精度要高,负胶显影后图形有涨缩,负性胶限制在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度,正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率,但是薄负性胶会影响孔。同种厚度的正负胶,在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹,正胶难以企及。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重,分别适用于不同级别IC的制作要求。赛米莱德提供美国Futurrex的光刻胶的供应与技术参数。
光刻胶国内的研发起步较晚
光刻胶的研发,关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂,开发所涉及的技术难题众多,需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。现代刻划技术可以追溯到190年以前,1822年法国人Nicephoreniepce在各种材料光照实验以后,开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕(图案),他将油纸放在一块玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。因此,要自主研发生产,技术难度非常之高。
在光刻胶研发上,我国起步晚,2000年后才开始重视。近几年,虽说有了快速发展,但整体还处于起步阶段。事实上,工艺技术水平与国外企业有着很大的差距,尤其是材料及设备都仍依赖进口。
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5,显影液
在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液,或将其浸泡在显影液中,正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液,胶膜中的潜影显现出来,形成三维图像。
显影完成后通常进行工艺线的显影检验,通常是在显微镜下观察显影效果,显影是否***、光刻胶图形是否完好。
影响显影的效果主要因素:
1,曝光时间,2前烘温度和时间,3光刻胶膜厚,4显影液浓度温度,5显影液的搅动情况。
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光刻胶稳定性
化学稳定性:在正常储存和操作条件下,在密闭容器中室温稳定。
避免的条件: 火源、湿气、过热的环境。
不相容的其他材料: 强氧化剂。
光刻胶毒理资料
淡黄色液体,气味微弱。引起皮肤、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状。液体是可燃的。
毒性数据
皮肤:可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状,类似于吸入。长时间或重复接触可引起轻度至中度的刺激或皮炎。
眼睛:引起眼睛发炎。
吸入:吸入时可能有害。引起呼吸道刺激。蒸气可能导致困倦和头晕。
摄食:吞食有害。
延迟效应:肝和损害,以及动物实验中有报道血液和GU髓有影响。
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