负性光刻胶公司厂家*** 赛米莱德公司

光刻胶应用

光刻胶是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，其中，树脂约占50%，单体约占35%。它能通过光化学反应改变自身在显影液中的溶解性，通过将光刻胶均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上，利用它的光化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上。

光刻胶常被称为是精细化工行业技术壁垒的材料，是因为微米级乃至纳米级的图形加工对其***化学品的要求极高，不仅化学结构特殊，品质要求也很苛刻，所以生产工艺复杂，需要长期的技术积累。

被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是电子制造领域的关键材料之一。下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用，是微细加工技术的关键性材料。

微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢？

赛米莱德***生产、销售光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。

一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶，正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。汶颢科技提供AZ、SU_8、及其他系类光刻胶的供应与技术参数。

   光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) 曝光系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。  

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