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正负光刻胶

正负光刻胶

光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。

一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。赛米莱德提供美国Futurrex的光刻胶的供应与技术参数。

NR9-3000PY

四、对准（Alignment）

光刻对准技术是曝光前的一个重要步骤作为光刻的三大***技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。但由于光刻胶技术门槛高，就某一光刻胶子行业而言，仅有少数几家供应商有产品供应。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号上分 ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。

NR77-5000PY

PR1-2000A1 试验操作流程

PR1-2000A1的厚度范围可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm为列；

1,静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度；

2，前烘：热板120度120秒；

3，冷却至室温；

4，用波长为365,406,436的波长曝光，

5，在温度为20-25度，使用RD6浸泡式、喷雾、显影 ；

6，去除光刻胶，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。

NR9-1000py

问题回馈：

1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知，Futurrex

有几款胶很，NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？

A 美国光刻胶，Futurrex

正胶PR1-2000A

, 去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。

3．你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品？

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A , 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，

反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高温的光阻是那一种？

A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再经过HMCTS

silyiation process,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。

5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。

6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合？

A 可以考虑使用Futurrex

，正型光阻PR1，负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．请问，那位知道，RIE

Mask,用什么光阻比较好？

A 正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。

8．一般厚膜制程中，哪一种光阻适合？

A NR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗？

A 建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻适合？

A 有一种胶很适合，美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers