NR9 8000光刻胶厂家服务为先 北京赛米莱德有限公司

在光刻胶的生产上，我国主要生产PCB光刻胶，LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小， 2015年据统计我国光刻胶产量为9.75万吨，其中中低端PCB光刻胶产值占比为94.4%，半导体和LCD光刻胶分分别占比1.6%和2.7%，严重依赖进口。光刻胶的重要性在北京化工大学理学院院长聂俊眼里，我国虽然已成为世界半导体生产大国，但面板产业整体产业链仍较为落后。

纵观***市场，光刻胶***化学品生产壁垒高，国产化需求强烈。 化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻，生产、检测、评价设备投资大，技术需要长期积累。

至今光刻胶***化学品仍主要被被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、美国futurrex、德国巴斯夫等化工寡头垄断。

芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。目前，上游电子化学品（LCD用光刻胶）几乎全部依赖进口，必须加快面板产业关键***材料基础研究与产业化进程，才能支撑我国微电子产业未来发展及国际“地位”的确立。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

NR77-25000P,RD8

 品牌

 产地

 型号

 厚度

 曝光

 应用

 加工

 特性

 Futurrex

 美国

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高温耐受

 用于i线曝光的负胶

 LEDOLED、

     显示器、

 MEMS、

     封装、

     生物芯片等

     金属和介电

     质上图案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    组成

    （OLED显示

     器上的间隔

     区）凸点、

     互连、空中

     连接微通道

     显影时形成光刻胶倒

     梯形结构

     厚度范围：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h线曝光波长

     对生产效率的影响：

     金属和介电质图案化

     时省去干法刻蚀加工

     不需要双层胶技术

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 粘度增强

 NR9-1500PY

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 NR71G-1000PY

  负胶对  g、h线波长的灵敏度

 NR71G-1500PY

 NR71G-3000PY

 NR71G-6000PY

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 NR9G-6000PY

 耐热温度

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm