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光刻胶国内研发现状

“造成与国际水平差距的原因很多。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的投资，而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。目前，整个产业是中间加工环节强，前后两端弱，***技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。

光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、异物数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。b、接近式曝光（ProximityPrinting）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。

发展

Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史

我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的产品。

在晶体管(transistor) ，封装，微机电。显示器，OLEDs，波导(waveguides) ，VCSELS，

成像，电镀，纳米碳管，微流体，芯片倒装等方面。我们都已经取得一系列的技术突破。

目前Futurrex有数百个技术在美国商标局备案。

Futurrex 产品目录

正性光刻胶

增强粘附性正性光刻胶

负性光刻胶

增强粘附性负性光刻胶

***工艺负性光刻胶

用于lift-off工艺的负性光刻胶

非光刻涂层

平坦化，保护、粘接涂层

氧化硅旋涂(spin-on glas)

掺杂层旋涂

辅助化学品

边胶清洗液

显影液

去胶液

Futurrex所有光刻产品均无需加增粘剂(HMDS)