NR9 3000PY光刻胶公司***「多图」

光刻胶国内的研发起步较晚

光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。有***提出，尽管国产光刻胶在面板一时用不起来，但***还是要从政策上鼓励国内普通面板的生产企业尽快用起来。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。

在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，虽说有了快速发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。

光刻胶国内研发现状

“造成与国际水平差距的原因很多。坚膜温度通常情况高于前烘和曝光后烘烤的温度100-140度10-30min7，显影检验光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡小孔、小岛。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的投资，而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。目前，整个产业是中间加工环节强，前后两端弱，***技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。

光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、异物数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展

光刻胶

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。AFuturrex,NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在显影液中的溶解度会发生变化。

分类

根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。

正胶

曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。

优点：分辨率高、对比度好。

缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。

灵敏度：曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量

负胶egative






Photo Resist）

与正胶反之。

优点： 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。

缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。

灵敏度：保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。