NR94 8000PY光刻胶报价按需定制 北京赛米莱德

美国Futurrex的光刻胶

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来曝光产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据曝光能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。主要的溶剂是，NR9-3000PY的显影在水溶液里完成。今年5月，02重大专项实施管理办公室组织任务验收***组、财务验收***组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。属固含量（%）：31-35 主要溶剂： 外观： 浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷 100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。光刻胶编码HS编码:3707100001[类注]|[章注]|[子目注释]中文描述:不含银的感光乳液剂（CIQ码：301:液体）英文描述:Non--0--silverlight-sensitiveemulsionagent申报要素:0。

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6，坚膜

坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。

坚膜温度通常情况高于前烘和曝光后烘烤的温度 100-140度 10-30min

7，显影检验

光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡

小孔、小岛。

NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

NR9-250P

20．有没有光刻胶PC3-6000的资料吗？

A PC3-6000并不是光刻胶，它是用在chip

on glass 上的胶粘剂。

21．是否有Wax替代品？

A PC3-6000可替代Wax做晶片和玻璃的固定，比较容易去除掉。

22．贵公司是否有粘接硅衬底和衬底的材料？

A 有，IC1-200就是

23．请问是否有不用HMDS步骤的正性光刻胶？

A 美国Futurrex 整个系列的光刻胶都不需要HMDS步骤，都可以简化。

24．一般电话咨询光刻胶，我们应该向客户咨询哪些资料？

A 1 需要知道要涂在什么材质上，2

还有要知道需要做的膜厚，3

还要知道光刻胶的分辨率

4还有需要正胶还是负胶，5

需要国产还是进口的

27．想找一款膜厚在120um，的光刻胶，有什么光刻胶可以做到啊！

A 以前有使用过美国有款光刻胶可以达到Futurrex

NR21-20000P ，。

28．有没有了解一款美国Futurrex

NR9-250P的光刻胶，请教下？

A 这是一款负性光刻胶，湿法蚀刻使用的，附着力很好，耐100度的温度，国内也有可以代理的公司，Futurre

光刻胶是世界第4大的电子化学品制造商，在光刻胶的领域有着不错的声誉，在太阳能光伏，和LED半导体行业都有不错的市场占有率。

29．想找款膜厚的产品，进行蚀刻，有什么好推荐？

A 厚膜应用（thick

film applicati），主要是指高纵横比（Aspect

ratios）,高分辨率，高反差，有几款产品向你推荐一下《NR4-8000P，NR2-20000P，NR5-8000，这些产品都需要用到边胶清洗液》

的光刻