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发布时间:2021-11-21 02:29:00 作者:赛米莱德
正性光刻胶的操作工艺
(1)合成醛树脂。将原料混和甲醛送人不锈钢釜,加入适量草酸为催化剂,加热回流反应5~6h,然后减压蒸馏去除水及未反应的单体酚,得到醛树脂。(2)合成感光剂。在装有搅拌器的夹套反应罐中,先将三羟基二苯甲酮和215酰氯加至中搅拌下溶解,待完全溶解后,滴加有机碱溶液做催化剂,控制反应温度30~35℃,滴加完毕后,继续反应1h。将反应液冲至水中,感光剂析出,离心分离,干燥。(3)配胶。将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例混合配胶,然后调整胶的各项指标使之达到要求。后过滤分装,光刻胶首先经过板框式过滤器粗滤,然后转入超净间(100级)进行超净过滤,滤膜孔径0.2mm,经超净过滤的胶液分装即为成品。
光刻胶分类
光刻胶按其形成图形的极性可以分为:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子;负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉,因此正胶的曝光部分被去掉,而负胶的曝光部分被保留。
赛米莱德以诚信为首 ,服务至上为宗旨。公司生产、销售光刻胶,公司拥有强大的销售团队和经营理念。想要了解更多信息,赶快拨打图片上的热线电话!
光刻胶的主要技术参数
1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力,一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
2、对比度:指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
3、敏感度:光刻胶上产生一 个良好的图形所需一 定波长的小能量值(或小曝光量)。单位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻胶
的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。
4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的
粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀I序中保护衬底表面。
7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。 同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
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光刻胶:半导体技术壁垒的材料之一
光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占IC制造50%左右,成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。
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