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发布时间:2021-11-19 19:23:00 作者:赛米莱德
光刻胶的参数
赛米莱德***生产、销售光刻胶,我们为您分析该产品的以下信息。
分辨率
分辨率英文名:resolution。区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
对比度
对比度(Contrast)指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
敏感度
敏感度(Sensitivity)光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的能量值(或曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。
粘滞性黏度
粘滞性/黏度(Viscosity)是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体,粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊(poise),光刻胶一般用厘泊(cps,厘泊为1%泊)来度量。百分泊即厘泊为粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。
粘附性
粘附性(Adherence)表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。
抗蚀性
抗蚀性(Anti-etching)光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
表面张力
液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力(Surface Tension),使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
以下是赛米莱德为您一起分享的内容,赛米莱德***生产光刻胶,欢迎新老客户莅临。
光刻胶市场空间与半导体的分不开。2012-2018年***半导体市场规模复合增速8.23%,在***半导体行业的快速发展下,***半导体光刻胶市场持续增长。
而***,因***半导体、液晶面板以及消费电子等产业向国内转移,对光刻胶需求量迅速增量。
但是远远不够,从***光刻胶的市场竞争格局来看,光刻胶市场主要由日韩企业主导,国内企业市场份额集中在低端的PCB光刻胶上,高技术壁垒的LCD 和半导体光刻胶主要依赖进口。根据某些数据显示,国内光刻胶产值当中,PCB光刻胶的占比高达95%,半导体光刻胶和LCD光刻胶产值占比都仅有2%。
由上分析可知,我国目前在光刻胶领域急需技术突破的。
光刻胶分类介绍
以下内容由赛米莱德为您提供,今天我们来分享光刻胶的相关内容,希望对同行业的朋友有所帮助!
根据化学反应机理和显影原理的不同,光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶,但经曝光后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂不可溶,经曝光后变成可溶的为正性胶。 从需求端来看,光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
光刻胶产品种类多、***性强,是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶曝光光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同,导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊,要求使用不同品质等级的光刻胶***化学品。
光刻胶
在曝光过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在曝光区间显影,负性胶则相反。负性胶由于曝光区间得到保留,漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。
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