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光刻胶分类

市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。

按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性胶；常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。

按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。1μm高温耐受负胶对g、h线波长的灵敏度NR71G-1500PY1。

PCB稳定

PCB被誉为'电子产品'，广泛应用于各个电子终端。2016年，***PCB市场规模达542.1亿美元。国外研究机构预测，PCB市场年复合增长率可达3%，到2020年，PCB***市场规模将达到610亿美元；目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。中国在2020年PCB产值有望达到311亿美元，在2015-2020年期间，年复合增长率略高于国际市场，为3.5%。得益于PCB行业发展刚需，我国PCB光刻胶需求空间巨大。

光刻胶介绍

光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体***材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中***的工艺。

以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及达到EUV(<13.5nm)线水平。7亿元，同比增长11%，高于国际市场增速，但***占比仍不足15%，发展空间巨大。

目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。KrF和ArF光刻胶***技术基本被日本和美国企业所垄断。

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光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，使其***干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，Sio2 空气中，Si-OH, 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸  与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。