NR9 3000P光刻胶厂家满意的选择 北京赛米莱德

NR77-5000PY

PR1-2000A1 试验操作流程

PR1-2000A1的厚度范围可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm为列；

1,静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度；

2，前烘：热板120度120秒；

3，冷却至室温；

4，用波长为365,406,436的波长曝光，

5，在温度为20-25度，使用RD6浸泡式、喷雾、显影 ；

6，去除光刻胶，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。

发展

Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史

我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的产品。

在晶体管(transistor) ，封装，微机电。显示器，OLEDs，波导(waveguides) ，VCSELS，

成像，电镀，纳米碳管，微流体，芯片倒装等方面。我们都已经取得一系列的技术突破。

目前Futurrex有数百个技术在美国商标局备案。

Futurrex 产品目录

正性光刻胶

增强粘附性正性光刻胶

负性光刻胶

增强粘附性负性光刻胶

***工艺负性光刻胶

用于lift-off工艺的负性光刻胶

非光刻涂层

平坦化，保护、粘接涂层

氧化硅旋涂(spin-on glas)

掺杂层旋涂

辅助化学品

边胶清洗液

显影液

去胶液

Futurrex所有光刻产品均无需加增粘剂(HMDS)

光刻胶

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在显影液中的溶解度会发生变化。而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。

分类

根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。

正胶

曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。

优点：分辨率高、对比度好。

缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。

灵敏度：曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量

负胶egative






Photo Resist）

与正胶反之。

优点： 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。

缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。

灵敏度：保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。