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电子光刻胶报价品质售后无忧

发布时间:2020-04-10 07:44:00        作者:赛米莱德






光刻胶分类


市场上,光刻胶产品依据不同标准,可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类,光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相同;使用负性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相反。

按照感光树脂的化学结构分类,光刻胶可以分为①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,***后生成聚合物,具有形成正像的特点;②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性胶;③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻胶。0μmi、g和h线曝光波长曝光对生产效率的影响:金属和介电质图案化时省去干法刻蚀加工不需要双层胶技术NR71-1500PY1。

按照曝光波长分类,光刻胶可分为紫外光刻胶(300~450nm)、深紫外光刻胶(160~280nm)、极紫外光刻胶(EUV,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一,采用湿法刻蚀,但这种工艺容易产生光刻胶残留。不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同,通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越小,加工分辨率越佳。


PR1-1000A1电子光刻胶报价电子光刻胶报价

5,显影液

在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液,或将其浸泡在显影液中,正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液,胶膜中的潜影显现出来,形成三维图像。



显影完成后通常进行工艺线的显影检验,通常是在显微镜下观察显影效果,显影是否***、光刻胶图形是否完好。

影响显影的效果主要因素:

1,曝光时间,2前烘温度和时间,3光刻胶膜厚,4显影液浓度温度,5显影液的搅动情况。





NR9-1000py

问题回馈:

1.我们是LED制造商,麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知,Futurrex

有几款胶很,NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2.请问有没有可以替代goodpr1518,Micropure去胶液和goodpr显影液的产品?

A 美国光刻胶,Futurrex

正胶PR1-2000A

, 去胶液RR4,和显影液RD6可以解决以上问题。

3.你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品?

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A , 它有几个优点:比较好的解析度,比较好的线宽控制,

反射比较少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~

4. 求助,耐高温的光阻是那一种?

A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻),再经过HMCTS

silyiation process,可以达到耐高温200度,PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。

5.厚膜光阻在镀金应用上,用哪一种比较理想?

A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的湿膜更加适合,和理想。

6.请教LIFT-OFF制程哪一种光阻***适合?

A 可以考虑使用Futurrex

,正型光阻PR1,负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7.请问,那位***知道,RIE

Mask,用什么光阻比较好?

A 正型光阻用PR1系列,负型光阻使用NR5,两种都可以耐高温180度。

8.一般厚膜制程中,哪一种光阻***适合?

A NR9-8000P有很高的深宽比(超过4:1),一般厚膜以及,MEMS产品的高需求。

9.在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗?

A 建议不使用,因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10.我们是OLED,我们有一种制程上需要一层SPACER,那种光阻***适合?

A 有一种胶很适合,美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers



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