NR9 1500P光刻胶报价价格合理「赛米莱德」

光刻胶

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1959 年被发明以来就成为半导体工业***的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺,成为 PCB 生产的重要材料。

二十世纪 90 年代,光刻胶又被运用到平板显示的加工制作,对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。

在半导体制造业从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中,光刻胶也起着举足轻重的作用。

总结来说,光刻胶产品种类多、***性强,需要长期技术积累,对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有极高要求,企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术,具有极高的技术壁垒。

光刻胶相关信息

赛米莱德——***光刻胶供应商，我们为您带来以下信息。

光刻胶是印刷线路板、显示面板、集成电路等电子元器件的上游。光刻胶产业链覆盖范围非常广，上游为基础化工材料行业、精细化学品行业，中游为光刻胶制备，下游为电子加工厂商、各电子器产品应用终端。由于上游产品直接影响下游企业的产品质量，下业企业对公司产品的质量和供货能力十分重视，常采用认证采购的模式，进入壁垒较高。

在下游半导体、LCD、PCB等行业需求持续扩大的拉动下，光刻胶市场将持续扩大。2018年***光刻胶市场规模为85亿美元，2014-2018年复合增速约5%。据IHS，未来光刻胶复合增速有望维持5%。按照下游应用来看，目前半导体光刻胶占比24.1%，LCD 光刻胶占比26.6%，PCB 光刻胶占比24.5%，其他类光刻胶占比24.8%。

微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢？

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一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶，正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。

   光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) 曝光系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。  

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