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发布时间：2021-09-17 02:53:00 作者：赛米莱德
在光刻胶的生产上，我国主要生产PCB光刻胶，LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小， 2015年据统计我国光刻胶产量为9.75万吨，其中中低端PCB光刻胶产值占比为94.4%，半导体和LCD光刻胶分分别占比1.6%和2.7%，严重依赖进口。曝光方法：a、接触式曝光（ContactPrinting）掩膜板直接与光刻胶层接触。
纵观***市场，光刻胶***化学品生产壁垒高，国产化需求强烈。 化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻，生产、检测、评价设备投资大，技术需要长期积累。
至今光刻胶***化学品仍主要被被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、美国futurrex、德国巴斯夫等化工寡头垄断。
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四、对准（Alignment）
光刻对准技术是曝光前的一个重要步骤作为光刻的三大***技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。
受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。A据我所知，Futurrex有几款胶很，NR7-1500PNR7-3000P是专门为离子蚀刻设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号上分 ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。
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9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG硫酸。国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。负胶，98%H2SO4+H2O2+胶=CO+CO2+H2O,正胶：BIN酮,干法去胶（ash）氧气加热去胶O2+胶=CO+CO2+H2O,等离子去胶Oxygenplasma ashing,高频电场O2---电离O- + O+, O+活性基与胶反应CO2，CO， H2O, 光刻检验
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