青海负性光刻胶生产厂家诚信企业推荐【赛米莱德】

光刻胶工艺

普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex 的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介

光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。

光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶***化学品，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。

光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中， PCB光刻胶占***市场24.5%，半导体IC光刻胶占***市场24.1%，LCD光刻胶占***市场26.6%。

在光刻胶的生产上，我国主要生产PCB光刻胶，LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小， 2015年据统计我国光刻胶产量为9.75万吨，其中中低端PCB光刻胶产值占比为94.4%，半导体和LCD光刻胶分分别占比1.6%和2.7%，严重依赖进口。b、接近式曝光（ProximityPrinting）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。

纵观***市场，光刻胶***化学品生产壁垒高，国产化需求强烈。 化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻，生产、检测、评价设备投资大，技术需要长期积累。

至今光刻胶***化学品仍主要被被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、美国futurrex、德国巴斯夫等化工寡头垄断。

发展

Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史

我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的***产品。

在晶体管(transistor) ，封装，微机电。显示器，OLEDs，波导(waveguides) ，VCSELS，

成像，电镀，纳米碳管，微流体，芯片倒装等方面。我们都已经取得一系列的技术突破。

目前Futurrex有数百个***技术在美国***商标局备案。

Futurrex 产品目录

正性光刻胶

增强粘附性正性光刻胶

负性光刻胶

增强粘附性负性光刻胶

***工艺负性光刻胶

用于lift-off工艺的负性光刻胶

非光刻涂层

平坦化，保护、粘接涂层

氧化硅旋涂(spin-on glas)

掺杂层旋涂

辅助化学品

边胶清洗液

显影液

去胶液

Futurrex所有光刻产品均无需加增粘剂(HMDS)