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光刻胶的相关信息

利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

光刻胶分类

1、负性光刻胶

主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。

2、正性光刻胶

主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。

3、负性电子束光刻胶

为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。 的是COP胶，典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速电压10KV时)、分辨率1.0um、 对比度0.95。限制分辨率

的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。

4、正性电子束光刻胶

主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶，典型特性:灵敏度40~ 80μC/cm^2 (加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。

PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，此外在高温下易流动，耐干法刻蚀性差。

以下是赛米莱德为您一起分享的内容，赛米莱德***生产光刻胶，欢迎新老客户莅临。

光刻胶市场空间与半导体的分不开。2012-2018年***半导体市场规模复合增速8.23%，在***半导体行业的快速发展下，***半导体光刻胶市场持续增长。

而***，因***半导体、液晶面板以及消费电子等产业向国内转移，对光刻胶需求量迅速增量。

但是远远不够，从***光刻胶的市场竞争格局来看，光刻胶市场主要由日韩企业主导，国内企业市场份额集中在低端的PCB光刻胶上，高技术壁垒的LCD 和半导体光刻胶主要依赖进口。根据某些数据显示，国内光刻胶产值当中，PCB光刻胶的占比高达95%，半导体光刻胶和LCD光刻胶产值占比都仅有2%。

由上分析可知，我国目前在光刻胶领域急需技术突破的。

光刻胶成分介绍

以下内容由赛米莱德为您提供，今天我们来分享光刻胶的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！

光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。 光刻胶又称光致抗蚀剂，以智能管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。

光刻胶成份

光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。

主要有聚酯胶和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。

主要以重氮醌为感光化合物，以酚醛树脂为基体材料。常用的有AZ- 1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、而刻蚀性和附着性等较差。

光刻胶的特点

1、在光的照射下溶解速率发生变化,利用曝光区与非曝光区的溶解速率差来实现图形的转移;

2、溶解抑制/溶解促进共同作用;

3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;