NR71 3000PY光刻胶价格按需定制

LCD市场助力

***LCD面板总出货面积增长，LCD光刻胶需求增加。据WitsView数据，虽然近三年国际LCD厂商面板出货量有所下降，但是由于大屏显示的市场扩增，LCD整体出货面积变大，2016年出货总面积达到1.7亿平方米，同比增长4.6%。随着LCD出货面积的持续增长，中国产业信息网预测，未来几年***LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。随着国内厂商占据LCD市场比重越来越大，国内LCD光刻胶需求也会持续增长。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。

光刻工艺重要性二

光刻胶的曝光波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着曝光波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。光刻胶京东方事实上，我国是在缺乏经验、缺乏***技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

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正性光刻胶的金属剥离技术

正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了***性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直， 去胶容易等***性能，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件，并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差，这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸，对曝光时同特别是显影液温度提出了严格的要求。A可以考虑使用Futurrex，正型光阻PR1，负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程，胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。