负性光刻胶

负性光刻胶

    负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

    A、粘性增强负性光刻胶

    粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长曝光。

    粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到***的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”。

    i线曝光用粘度增强负胶系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h线曝光用粘度增强负胶系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工负胶

    加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长曝光。

    加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到***的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。

    用于i线曝光的加工负胶系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

NR9-3000PYNR9 3000P光刻胶公司

二、预烘和底胶涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100 °C。这是与底胶涂覆合并进行的。

底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用: (HMDS)、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。

NR9-3000PY

11．请教~有没有同时可以满足RIE

process 和Lift-off

process的光阻，谢谢！

A 我们推荐使用Futurrex

NR1-300PY来满足以上工艺的需求。

12．Futurre光刻胶里，有比较容易去除的负光阻吗？

A NR9-系列很容易去除，可以满足去胶需要。

13．我们目前用干膜做窄板，解析度不够，希望找到好的替代光阻？

A NR9-8000因为有很高的AR比例，适合取代，在凸块的应用上也有很大的好处。

14．传统的Color

filter 制程，每个颜色的烘烤时间要2-3个小时，有没有更快的方法制作Coior

filter?

A 用于Silylation制程------烘烤时间只需要2分钟，同时光阻不需要Reflow, 颜色也不会老化改变，只需要在Filter上面加热溶解PR1-2000S光阻，Microlenses就能形成！

15．请问有专门为平坦化提供材料的公司吗？

A 美国Futurrex公司，专门生产应用化学品的，可以为平坦化的材料提供PC3-6000和PC4-1000都是为平坦化用途设计，台湾企业用的比较多。

16．我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布PROTECTIVE

COATING，那种适合？？

A 推荐美国Futurrex，PC4-10000。

17．腊是用来固定芯片的，但很难清洗干净，哪里有可以替代的产品介绍下，谢谢？

A 我们公司是使用Futurrex

PC3-6000,可以替代的，而且去除比较容易，你可以试用下。

18．请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与MEMS应用的光刻胶吗？

A NR4-8000P可以做到140微米的厚度，并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题，如果是其他非镀镍衬底NR9-8000P是适合的选择。

19．谁有用在光波导图案的光刻胶？是否可以形成角度为30度的侧壁？

A 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷，NR4-8000P是专门为光波导图案应用进行设计的产品。