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负性光刻胶厂家推荐货源

发布时间:2020-10-15 19:34:00        作者:赛米莱德







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5,显影液

在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液,或将其浸泡在显影液中,正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液,胶膜中的潜影显现出来,形成三维图像。



显影完成后通常进行工艺线的显影检验,通常是在显微镜下观察显影效果,显影是否***、光刻胶图形是否完好。

影响显影的效果主要因素:

1,曝光时间,2前烘温度和时间,3光刻胶膜厚,4显影液浓度温度,5显影液的搅动情况。





NR77-15000P

9,去胶:湿法去胶,用溶剂、用NONG硫酸。光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。负胶,98%H2SO4+H2O2+=CO+CO2+H2O,正胶:BIN酮,干法去胶(ash)氧气加热去胶O2+=CO+CO2+H2O,等离子去胶Oxygenplasma ashing,高频电场O2---电离O- + O+,  O+活性基与胶反应CO2CO H2O, 光刻检验


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表征光刻胶特性和性能、质量的参数有以下三个:
(1)光学性质。光刻胶的光学性质包括光敏度和折射率。
(2)力学特性和化学特性。光刻胶品牌FUTURRE光刻胶产品属性:1FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:1。光刻胶的力学特性和化学特性包括胶的固溶度、黏滞度、黏着度、抗蚀(刻蚀、腐蚀)性、热稳定性、流动性和对环境气氛(如氧气)的敏感度。
(3)其他特性。光刻胶的其他特性包括胶的纯度、胶内的金属含量、胶的可应用范围、胶的储存有效期和胶的燃点。


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