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发布时间：2020-08-13 11:44:00 作者：赛米莱德
光刻胶的分类
以下是赛米莱德为您一起分享的内容，赛米莱德***生产光刻胶，欢迎新老客户莅临。
硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。
分类
光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。
光刻胶的应用
以下内容由赛米莱德为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
模拟半导体（Analog Semiconductors）发光二极管（Light-Emitting Diodes LEDs）微机电系统（Microelectromechanical Systems MEMS）太阳能光伏（Solar Photovoltaics PV）微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封装（Packaging）
光刻胶市场情况
目前***光刻胶市场基本被日本和美国企业所垄断。光刻胶属于高技术壁垒材料，生产工艺复杂，纯度要求高，需要长期的技术积累。日本的JSR、东京应化、信越化学及富士电子四家企业占据了***70%以上的市场份额，处于市场垄断地位。
光刻胶市场需求逐年增加，2018年***半导体光刻胶销售额12.97亿美元。随着下游应用功率半导体、传感器、存储器等需求扩大，未来光刻胶市场将持续扩大。
以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多光刻胶的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们
光刻胶的***参数是什么？
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的***技术参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的***技术参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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