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光刻胶介绍

光刻胶介绍

光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料，可以在光照后发生化学性质的改变，这是整个工艺的基础。

光刻胶有不同的类型，PMMA（PMGI）以及DNQ（酚醛树脂）等材料都可以做光刻胶。

 目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等国家，包括 FUTURREX、陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、LG化学等等，中国公司在光刻胶领域也缺少***技术。

光刻胶国内研发现状

“造成与国际水平差距的原因很多。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的投资，而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。目前，整个产业是中间加工环节强，前后两端弱，***技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中，感光剂是光敏化合物，***常见的是重氮萘醌（DNQ）。

光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、异物数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm。

NR9-1000py

问题回馈：

1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知，Futurrex

有几款胶很，NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？

A 美国光刻胶，Futurrex

正胶PR1-2000A

, 去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。

3．你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品？

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A , 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，

反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高温的光阻是那一种？

A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再经过HMCTS

silyiation process,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。

5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。

6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合？

A 可以考虑使用Futurrex

，正型光阻PR1，负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．请问，那位知道，RIE

Mask,用什么光阻比较好？

A 正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。

8．一般厚膜制程中，哪一种光阻适合？

A NR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗？

A 建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻适合？

A 有一种胶很适合，美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers