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发布时间:2022-08-11 11:37:00 作者:赛米莱德
光刻胶的应用
以下内容由赛米莱德为您提供,希望对同行业的朋友有所帮助。
模拟半导体(Analog Semiconductors)发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光电子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封装(Packaging)
正性光刻胶的结构
光学光刻胶通常包含以下三种成分:(1)聚合物材料(也称为树脂)。聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应,其主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性,同时也决定着光刻胶薄膜的其他一些特性(如光刻胶的膜厚要求、弹性要求和热稳定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般为复合性物质(简称PAC或感光剂)。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未曝光区域起抑制溶解的作用,可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。以正性胶为例,使用g射线和i射线光刻中的正性胶是由重氮醌(简称为DQ)感光剂和酚树脂构成。(3)溶剂(如丙二醇-,PGME)。溶剂的作用是使光刻胶在涂覆到硅片表面之前保持为液态
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光刻胶的参数介绍
1.对比度(Contrast)
对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好,越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。
2.粘滞性/黏度 (Viscosity)
衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。
3.抗蚀性(Anti-etching)
光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
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