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NR75 1000HP光刻胶公司来电垂询 北京赛米莱德公司

发布时间:2022-07-09 08:36:00        作者:赛米莱德







光刻胶介绍

光刻胶介绍

光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料,可以在光照后发生化学性质的改变,这是整个工艺的基础。

光刻胶有不同的类型,PMMAPMGI)以及DNQ(酚醛树脂)等材料都可以做光刻胶。

 目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等国家,包括 FUTURREX、陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、LG化学等等,中国公司在光刻胶领域也缺少***技术。

 


LCD市场助力

***LCD面板总出货面积增长,LCD光刻胶需求增加。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。据WitsView数据,虽然近三年国际LCD厂商面板出货量有所下降,但是由于大屏显示的市场扩增,LCD整体出货面积变大,2016年出货总面积达到1.7亿平方米,同比增长4.6%。随着LCD出货面积的持续增长,中国产业信息网预测,未来几年***LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。随着国内厂商占据LCD市场比重越来越大,国内LCD光刻胶需求也会持续增长。


芯片光刻的流程详解(二)

所谓光刻,根据维基百科的定义,这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%,并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。




光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序:

一、清洗硅片(Wafer Clean)

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷,提高光刻胶黏附性

基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例Goldfinger Mach2清洗系统)、美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304 DSS清洗系统)、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶***化学品,生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域,需求较为分散。


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