NR9 1500PY光刻胶厂家服务至上「赛米莱德」

NR9-3000PYNR9 1500PY光刻胶厂家

三、光刻胶涂覆（Photoresist Coating）

光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。

涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。

光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。用RR5去胶液可以很容易的去胶NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。在后者，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。

在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。

用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。随着国内厂商占据LCD市场比重越来越大，国内LCD光刻胶需求也会持续增长。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。

NR77-25000P,RD8

 品牌

 产地

 型号

 厚度

 曝光

 应用

 加工

 特性

 Futurrex

 美国

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高温耐受

 用于i线曝光的负胶

 LEDOLED、

     显示器、

 MEMS、

     封装、

     生物芯片等

     金属和介电

     质上图案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    组成

    （OLED显示

     器上的间隔

     区）凸点、

     互连、空中

     连接微通道

     显影时形成光刻胶倒

     梯形结构

     厚度范围：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h线曝光波长

     对生产效率的影响：

     金属和介电质图案化

     时省去干法刻蚀加工

     不需要双层胶技术

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 粘度增强

 NR9-1500PY

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 NR71G-1000PY

  负胶对  g、h线波长的灵敏度

 NR71G-1500PY

 NR71G-3000PY

 NR71G-6000PY

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 NR9G-6000PY

 耐热温度

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm

光刻胶

光增感剂

是引发助剂，能吸收光能并转移给光引发剂，或本身不吸收光能但协同参与光化学反应，起到提高引发效率的作用。

光致产酸剂

吸收光能生成酸性物质并使曝光区域发生酸解反应，用于化学增幅型光刻胶。

助剂

根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。

主要技术参数

分辨率（resolution）

是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。