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政策扶持

为促进我国光刻胶产业的发展，国家02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室组织任务验收组、财务验收组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。

据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明15项（包括国际5项），截止到目前，共获得授权10项（包括国际授权3项）。光刻胶去除半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。

光刻胶的重要性

在北京化工大学理学院院长聂俊眼里，我国虽然已成为世界半导体生产大国，但面板产业整体产业链仍较为落后。目前，上游电子化学品（LCD用光刻胶）几乎全部依赖进口，必须加快面板产业关键***材料基础研究与产业化进程，才能支撑我国微电子产业未来发展及国际“地位”的确立。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。

“假如我们把光刻机比作一把菜刀，那么光刻胶就好比是要切割的菜，没有高质量的菜，即使有了锋利的菜刀，也无法做出一道佳肴。”日前，江苏博砚电子科技有限公司技术部章宇轩在接受科技日报记者采访时说。

芯片光刻的流程详解（一）

在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。A美国光刻胶，Futurrex正胶PR1-2000A,去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。

Niepce的发明100多年后，即第二次大战期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。二、预烘和底胶涂覆（Pre-bakeandPrimerVapor）由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。

光刻胶

PCB

光刻胶

主要分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶（又称为抗蚀刻/线路油墨）、光成像阻焊油墨等。PCB 光刻胶技术壁垒相对较低，主要是中低端产品。

LCD

包含彩色滤光片用彩色光刻胶及黑色光刻胶、LCD 触摸屏用光刻胶、TFT-LCD 正性光刻胶等产品。

彩色滤光片是LCD

实现彩色显示的关键器件，占面板成本的14%~16%；在彩色滤光片中，彩色光刻胶和黑色光刻胶是***材料，占其成本的27%左右，其中黑色光刻胶占彩色滤光片材料成本的6%~8%。

半导体光刻胶

包括g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶、聚酰YA光刻胶、掩膜板光刻胶等。